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瑞波光电将携核心产品参展2018武汉光博会
发布时间:2018-11-05
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    第十五届“中国光谷”国际光电子博览会暨论坛(即武汉光博会)将于11月14日至16日在光谷科技会展中心举办。本届光博会以“光联万物,智引未来”为主题,着力打造全球光电子领域前沿成果的集中展示平台,作为国内领先的大功率半导体激光芯片专业制造商-深圳瑞波光电子有限公司也将参展此次盛会,展会现场展示核心的大功率半导体激光芯片及测试设备产品线,展位号:A107-108。

    瑞波光电一直注重新产品的开发和应用,本次展会期间展示的产品包括了针对工业加工、医疗美容、激光雷达、科研应用的四大系列芯片以及完整的半导体激光表征测试和老化设备。
在面向工业加工中光纤激光器和固体激光器泵浦方面,瑞波除了展示10W-15W9XXnm系列芯片和8XXnm系列芯片,今年还新推出面向精细加工的808nm QCW 300W半导体激光器巴条。
针对当前热门的激光雷达市场,深圳瑞波光电子有限公司开发出了25W,50W,75W级905nm 脉冲式半导体激光芯片,产品具有低电压、高效率、长寿命、高可靠性等特点,主要应用到无人驾驶、无人机、机器人等激光测距雷达上,同时支持塑料封装或TO封装。
    在医疗美容方面,瑞波光电除了1470nm、1550nm芯片外,也开发了755nm、780nm的新品,其中755nm被认为是最佳的脱毛波长,而瑞波光电新开发的755nm激光芯片,发光条宽350um,腔长2.5mm,工作功率可达到8W,光电转换效率50%,工作电压1.9V。(根据单管芯片测试数据得到。单管芯片测试时,以 COS(Chip On Submount)封装形式,COS 测试温度为 25℃,热阻为 2~3 K/W。)---这是目前市场上性能最为强悍的755nm芯片。
    另外,在激光显示方面,瑞波光电也将展示新研制的单量子阱张力应变增益、发光条宽105μm的GaInP 638nm激光芯片。单管发射激光器的最大输出功率大于2W。可靠性测试表明,这些激光器在1W输出功率下具有很高的可靠性,模块功率高达8.6W。
    除了单管芯片外,瑞波光电还将展示多款激光bar条,包括808nm CW 100W、808 QCW 300W、915-940-976nm CW 200W、940nm QCW 600W等。
    瑞波光电基于在芯片设计、制造、测试的技术沉淀,为了更好的满足半导体激光器生产厂家在表征测试、老化及可靠性测试等方面的需求,从实际使用者的角度,针对半导体激光器制作过程的关键环节推出成系列、自动化程度高的表征测试设备。包括: Full bar测试机、单管bar测试机、COS测试机、器件寿命/烧测测试机、模块测试机等。
    这些检测设备对瑞波光电提升产品性能,保障可靠性和寿命方面起到非常重要的作用。这些设备,具备极佳的实用性和高性价比,除瑞波自己产线使用外,在下游客户和芯片同行也普遍采用,大大提升了整个行业的测试和质量管控水平,促进了行业的发展。
    我们非常期待能在本次光博会上结识各种应用领域的专业客户,让瑞波光电研制的大功率半导体激光芯片和测试设备更多更好地服务行业和产业,光即理,致未来!

关于瑞波光电
  深圳瑞波光电子有限公司是由深圳清华大学研究院、国内外技术专家共同创办的从事大功率半导体激光器芯片研发和生产的高科技企业,拥有从半导体激光芯片外延设计、材料、制造工艺,到芯片封装、表征测试等全套核心技术,可向市场提供高性能、高可靠性大功率半导体激光芯片,封装模块及测试表征设备,并可提供研发咨询服务。
  公司芯片产品形式包括单管芯片(single-emitter)和bar条,功率从瓦级到数百瓦级,波长覆盖可见光到近红外波段,波长包含635nm、755nm、808nm、880nm、905nm、915nm、940nm、976nm、1064nm、1470nm、1550nm等,输出功率均达到国内领先水平,可代替进口高端激光芯片;封装产品包括C-Mount、COS(Chip on Submount)、BOS(Bar on Submount)和CCP等;表征测试设备种类齐全、自动化程度高,包括Bar条综合性能测试机、Full-bar 综合性能测试机、COS综合性能测试机、半导体激光光纤耦合模块综合性能测试机、大功率半导体激光芯片器件老化/寿命测试机等。
  公司产品广泛应用于工业加工、医疗美容、光通信、激光显示、激光测距、科研等领域。公司的发展目标是填补中国在大功率半导体激光器芯片领域的空白,成为世界一流的半导体激光器供应商,为我国现代化生产和科学研究做出贡献。
  更多信息请登录瑞波光电官方网站:http://www.raybowlaser.com