瑞波光电推出新型3W 808nm半导体激光芯片
发布时间：2020-04-17
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【中国.深圳】日前，大功率半导体激光芯片制造商—深圳瑞波光电子有限公司宣布推出新型3W 808nm半导体激光芯片，该芯片主要用于医疗美容、激光照明、自由空间光通信等领域。
新款3W 808nm半导体激光芯片型号为RB-808A-150-3-1-SE，发光条宽为150μm，腔长1mm，光电转换效率60%，使用寿命可达10000小时以上。另外该芯片也采用了新型外延结构设计和材料外延，先进的非泵浦窗设计和制备技术以及干湿法腐蚀结合自对准工艺技术，控制条宽的一致性，特别保证大批量生产下的高成品率，降低激光芯片成本。同时新技术的采用大大提高的耐高温特性，使之可以在环境温度60℃甚至更高温的情况下连续工作。
新款3W 808nm半导体激光芯片型号为RB-808A-150-3-1-SE，发光条宽为150μm，腔长1mm，光电转换效率60%，使用寿命可达10000小时以上。另外该芯片也采用了新型外延结构设计和材料外延，先进的非泵浦窗设计和制备技术以及干湿法腐蚀结合自对准工艺技术，控制条宽的一致性，特别保证大批量生产下的高成品率，降低激光芯片成本。同时新技术的采用大大提高的耐高温特性，使之可以在环境温度60℃甚至更高温的情况下连续工作。
3W 808nm芯片的PIV曲线
该芯片可适用C-MOUNT、TO56、TO3等封装形式。目前已经批量上市，除了3W产品外，瑞波也正向市场供应6W/8W/10W 808nm芯片以及CW 50W 808nm Bar、QCW 300W 808nm Bar等产品，欢迎有兴趣的朋友前来咨询和评估。
关于瑞波光电
深圳瑞波光电子有限公司是由深圳清华大学研究院、国内外技术专家共同创办的从事大功率半导体激光器芯片研发和生产的高科技企业，拥有从半导体激光芯片外延设计、材料、制造工艺，到芯片封装、表征测试等全套核心技术，可向市场提供高性能、高可靠性大功率半导体激光芯片，封装模块及测试表征设备，并可提供研发咨询服务。
公司芯片产品形式包括单管芯片（single-emitter）和bar条，功率从瓦级到数百瓦级，波长覆盖可见光到近红外波段，波长包含635nm、755nm、808nm、880nm、905nm、915nm、940nm、976nm、1064nm、1470nm、1550nm等，输出功率均达到国内领先水平，可代替进口高端激光芯片；封装产品包括C-Mount、COS（Chip on Submount）、BOS（Bar on Submount)等；表征测试设备种类齐全、自动化程度高，包括Bar条综合性能测试机、Full-bar 综合性能测试机、COS综合性能测试机、半导体激光光纤耦合模块综合性能测试机、大功率半导体激光芯片器件老化/寿命测试机等。
公司产品广泛应用于工业加工、医疗美容、光通信、激光显示、激光测距、科研等领域。公司的发展目标是填补中国在大功率半导体激光器芯片领域的空白，成为世界一流的半导体激光器供应商，为我国现代化生产和科学研究做出贡献。
光即理，致未来！更多信息请登录瑞波光电官方网站：http://www.raybowlaser.com
深圳瑞波光电子有限公司是由深圳清华大学研究院、国内外技术专家共同创办的从事大功率半导体激光器芯片研发和生产的高科技企业，拥有从半导体激光芯片外延设计、材料、制造工艺，到芯片封装、表征测试等全套核心技术，可向市场提供高性能、高可靠性大功率半导体激光芯片，封装模块及测试表征设备，并可提供研发咨询服务。
公司芯片产品形式包括单管芯片（single-emitter）和bar条，功率从瓦级到数百瓦级，波长覆盖可见光到近红外波段，波长包含635nm、755nm、808nm、880nm、905nm、915nm、940nm、976nm、1064nm、1470nm、1550nm等，输出功率均达到国内领先水平，可代替进口高端激光芯片；封装产品包括C-Mount、COS（Chip on Submount）、BOS（Bar on Submount)等；表征测试设备种类齐全、自动化程度高，包括Bar条综合性能测试机、Full-bar 综合性能测试机、COS综合性能测试机、半导体激光光纤耦合模块综合性能测试机、大功率半导体激光芯片器件老化/寿命测试机等。
公司产品广泛应用于工业加工、医疗美容、光通信、激光显示、激光测距、科研等领域。公司的发展目标是填补中国在大功率半导体激光器芯片领域的空白，成为世界一流的半导体激光器供应商，为我国现代化生产和科学研究做出贡献。
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